JAN2N3439,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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JAN2N3439
JAN2N3439 -
TRANS NPN 350V 1A
QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。未提供符合性证书。参见条款和条件。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
JAN2N3439
仓库库存编号:
1086-2343-ND
描述:
TRANS NPN 350V 1A
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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JAN2N3439产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
系列
军用,MIL-PRF-19500/368
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-39(TO-205AD)
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 20mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350V
Power - Max
800mW
电流 - 集电极截止(最大值)
2μA
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 4mA,50mA
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
数据列表
2N3439-40
标准包装
1
其它名称
1086-2343
1086-2343-MIL
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