JAN2N3811U,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
>
JAN2N3811U
JAN2N3811U -
TRANS 2PNP 60V 0.05A
QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
JAN2N3811U
仓库库存编号:
1086-20921-ND
描述:
TRANS 2PNP 60V 0.05A
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
JAN2N3811U产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-78-6 金属罐
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
系列
军用,MIL-PRF-19500/336
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-78-6
晶体管类型
2 PNP(双)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
300 @ 1mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值)
10μA(ICBO)
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 100μA,1mA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
350mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
关键词
产品资料
标准包装
100
其它名称
1086-20921
1086-20921-MIL
JAN2N3811U相关搜索
封装/外壳 TO-78-6 金属罐
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-78-6 金属罐
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-78-6 金属罐
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
系列 军用,MIL-PRF-19500/336
Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500/336
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用,MIL-PRF-19500/336
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用,MIL-PRF-19500/336
包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装
零件状态 过期
Microsemi Corporation 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-78-6
Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-78-6
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-78-6
晶体管类型 2 PNP(双)
Microsemi Corporation 晶体管类型 2 PNP(双)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP(双)
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP(双)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V
Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 1mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)
Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100μA,1mA
Microsemi Corporation 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100μA,1mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100μA,1mA
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100μA,1mA
频率 - 跃迁 -
Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -
功率 - 最大值 350mW
Microsemi Corporation 功率 - 最大值 350mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
Microsemi Corporation 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号