JAN2N6764,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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JAN2N6764
JAN2N6764 -
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
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已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
JAN2N6764
仓库库存编号:
JAN2N6764-ND
描述:
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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JAN2N6764产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-204AE
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
军用,MIL-PRF-19500/543
包装
散装
零件状态
过期
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
125nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
65 毫欧 @ 38A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
38A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
4W(Ta),150W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
2N6764,66,68,70
标准包装
1
其它名称
JAN2N6764-MIL
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封装/外壳 TO-204AE
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-204AE
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-204AE
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制造商 Microsemi Corporation
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 军用,MIL-PRF-19500/543
Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500/543
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 军用,MIL-PRF-19500/543
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包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
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零件状态 过期
Microsemi Corporation 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Microsemi Corporation Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 125nC @ 10V
Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 125nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 125nC @ 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 125nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 38A,10V
Microsemi Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 38A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 38A,10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 38A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 4W(Ta),150W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 4W(Ta),150W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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