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JAN2N6782U - 

MOSFET N-CH 18-LCC

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  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation JAN2N6782U
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JAN2N6782U
仓库库存编号：
JAN2N6782U-ND
描述：
MOSFET N-CH 18-LCC
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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JAN2N6782U产品属性


产品规格
  封装/外壳  18-BQFN 裸露焊盘  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/556  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  18-ULCC（9.14x7.49）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  8.1nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  610 毫欧 @ 3.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.5A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  800mW（Ta），15W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N6782U,84U,86U
标准包装 1
其它名称 JAN2N6782U-MIL

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