JAN2N6987,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

JAN2N6987 - 

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

  • QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
  • 非库存货
Microsemi Corporation JAN2N6987
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
JAN2N6987
仓库库存编号:
1086-2364-ND
描述:
TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

JAN2N6987产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-DIP(0.300",7.62mm)  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -65°C ~ 200°C(TJ)  
  系列  军用,MIL-PRF-19500/558  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  晶体管类型  4 PNP(四路)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  100 @ 150mA,10V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  10μA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  1.6V @ 50mA,500mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  1.5W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  600mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N6987(U), 2N6988
标准包装 1
其它名称 1086-2364
1086-2364-MIL

JAN2N6987相关搜索

封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)  Microsemi Corporation 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)   系列 军用,MIL-PRF-19500/558  Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500/558  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用,MIL-PRF-19500/558  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用,MIL-PRF-19500/558   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   晶体管类型 4 PNP(四路)  Microsemi Corporation 晶体管类型 4 PNP(四路)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP(四路)  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP(四路)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V   电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA(ICBO)   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA  Microsemi Corporation 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 1.5W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.5W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.5W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 60V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 60V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号