JAN2N7335,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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JAN2N7335 - 

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

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  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation JAN2N7335
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JAN2N7335
仓库库存编号：
JAN2N7335-ND
描述：
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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JAN2N7335产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-DIP（0.300"，7.62mm）  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/599  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 500mA，10V  
  FET 类型  4 个 P 通道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  750mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  1.4W  
关键词         

产品资料
数据列表 2N7335
标准包装 1
其它名称 JAN2N7335-MIL

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