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产品规格

封装/外壳	TO-206AB，TO-46-3 金属罐
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	军用，MIL-PRF-19500/354
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-46（TO-206AB）
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	400mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA
Current - Collector (Ic) (Max)	30mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	2N2604-05(UB)
标准包装	1
其它名称	1086-2682 1086-2682-MIL

封装/外壳 TO-206AB，TO-46-3 金属罐  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-206AB，TO-46-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-206AB，TO-46-3 金属罐  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-206AB，TO-46-3 金属罐   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 军用，MIL-PRF-19500/354  Microsemi Corporation 系列 军用，MIL-PRF-19500/354  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/354  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/354   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-46（TO-206AB）  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-46（TO-206AB）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-46（TO-206AB）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-46（TO-206AB）   晶体管类型 PNP  Microsemi Corporation 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 400mW  Microsemi Corporation Power - Max 400mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 400mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 400mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA   Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -