JANTX2N2919U,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

JANTX2N2919U - 

TRANS 2NPN 60V 0.03A

  • QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
  • 非库存货
Microsemi Corporation JANTX2N2919U
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JANTX2N2919U
仓库库存编号：
1086-20770-ND
描述：
TRANS 2NPN 60V 0.03A
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

JANTX2N2919U产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-SMD，无引线  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  200°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/355  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-SMD  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  150 @ 1mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  10μA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 100μA，1mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  350mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  30mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  60V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 1086-20770
1086-20770-MIL

JANTX2N2919U相关搜索

封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 封装/外壳 3-SMD，无引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 3-SMD，无引线   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 200°C（TJ）   系列 军用，MIL-PRF-19500/355  Microsemi Corporation 系列 军用，MIL-PRF-19500/355  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用，MIL-PRF-19500/355  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 军用，MIL-PRF-19500/355   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 3-SMD  Microsemi Corporation 供应商器件封装 3-SMD  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 3-SMD  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 3-SMD   晶体管类型 2 NPN（双）  Microsemi Corporation 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 100μA，1mA  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 100μA，1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 100μA，1mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 100μA，1mA   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 350mW  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 60V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号