关于我们 | 联系我们

库存查询

• QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。未提供符合性证书。参见条款和条件。

产品规格

封装/外壳	TO-205AA，TO-5-3 金属罐
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	军用，MIL-PRF-19500/393
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-5
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 1A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	5μA
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	2N3418 thru 2N3421
标准包装	1
其它名称	1088-1008 1088-1008-MIL

封装/外壳 TO-205AA，TO-5-3 金属罐  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-205AA，TO-5-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AA，TO-5-3 金属罐  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AA，TO-5-3 金属罐   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 军用，MIL-PRF-19500/393  Microsemi Corporation 系列 军用，MIL-PRF-19500/393  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/393  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/393   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-5  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-5  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-5  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-5   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1A，2V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1A，2V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 1W  Microsemi Corporation Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 5μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -