JANTX2N6298,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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JANTX2N6298
JANTX2N6298 -
TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66
QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。未提供符合性证书。参见条款和条件。
Digi-Key已停止供应这个产品,现只提供有限数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
JANTX2N6298
仓库库存编号:
1086-15537-ND
描述:
TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 8A 64W Through Hole
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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JANTX2N6298产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-213AA,TO-66-2
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)
系列
军用,MIL-PRF-19500/540
包装
散装
零件状态
已不再提供
晶体管类型
PNP - 达林顿
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
750 @ 4A,3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Power - Max
64W
电流 - 集电极截止(最大值)
500μA
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
2V @ 80mA,8A
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
数据列表
2N6298, 2N6299
标准包装
1
其它名称
1086-15537-MIL
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封装/外壳 TO-213AA,TO-66-2
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-213AA,TO-66-2
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-213AA,TO-66-2
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-213AA,TO-66-2
制造商 Microsemi Corporation
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
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系列 军用,MIL-PRF-19500/540
Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500/540
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用,MIL-PRF-19500/540
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 军用,MIL-PRF-19500/540
包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装
零件状态 已不再提供
Microsemi Corporation 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 已不再提供
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晶体管类型 PNP - 达林顿
Microsemi Corporation 晶体管类型 PNP - 达林顿
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 4A,3V
Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 4A,3V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 750 @ 4A,3V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Power - Max 64W
Microsemi Corporation Power - Max 64W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 64W
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电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 500μA
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Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2V @ 80mA,8A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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