JANTXV2N6796U,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

JANTXV2N6796U - 

MOSFET N-CH 100V 8A

  • QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation JANTXV2N6796U
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JANTXV2N6796U
仓库库存编号：
JANTXV2N6796U-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 8A
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

JANTXV2N6796U产品属性


产品规格
  封装/外壳  18-BQFN 裸露焊盘  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/557  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  18-ULCC（9.14x7.49）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  28.51nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  195 毫欧 @ 8A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  800mW（Ta），25W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N6796,98U, 6800,02U
标准包装 1
其它名称 JANTXV2N6796U-MIL

JANTXV2N6796U相关搜索

封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘  Microsemi Corporation 封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 军用，MIL-PRF-19500/557  Microsemi Corporation 系列 军用，MIL-PRF-19500/557  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/557  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 军用，MIL-PRF-19500/557   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 18-ULCC（9.14x7.49）  Microsemi Corporation 供应商器件封装 18-ULCC（9.14x7.49）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 18-ULCC（9.14x7.49）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 18-ULCC（9.14x7.49）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microsemi Corporation 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Microsemi Corporation Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28.51nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28.51nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28.51nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28.51nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 8A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 8A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 8A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Microsemi Corporation 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Microsemi Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）  Microsemi Corporation 功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）   漏源电压（Vdss） 100V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号