JANTXV2N7334,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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JANTXV2N7334 - 

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

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Microsemi Corporation JANTXV2N7334
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制造商产品编号：
JANTXV2N7334
仓库库存编号：
JANTXV2N7334-ND
描述：
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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JANTXV2N7334产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-DIP（0.300"，7.62mm）  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/597  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  MO-036AB  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  60nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  700 毫欧 @ 600mA，10V  
  FET 类型  4 个 N 通道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  1.4W  
关键词         

产品资料
数据列表 2N7334
标准包装 1
其它名称 JANTXV2N7334-MIL

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