MRF4427,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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MRF4427
MRF4427 -
TRANS NPN 20V 400MA SO8
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
MRF4427
仓库库存编号:
MRF4427-ND
描述:
TRANS NPN 20V 400MA SO8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 20V 400mA 1.5W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRF4427产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
10 @ 10mA,5V
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
1.5W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
400mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
增益
20dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
数据列表
MRF4427(R1, R2)
标准包装
2,500
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Microsemi Corporation 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 表面贴装
Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
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工作温度 -
Microsemi Corporation 工作温度 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -
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系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
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包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装
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零件状态 过期
Microsemi Corporation 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 8-SO
Microsemi Corporation 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SO
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晶体管类型 NPN
Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 10mA,5V
Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 10mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 10mA,5V
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 10mA,5V
频率 - 跃迁 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -
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功率 - 最大值 1.5W
Microsemi Corporation 功率 - 最大值 1.5W
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.5W
Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.5W
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA
Microsemi Corporation 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
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增益 20dB
Microsemi Corporation 增益 20dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 20dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
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