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产品规格

封装/外壳	超大功率
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	超大功率
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	3W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	16V
增益	11dB ~ 12.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	MRF555
标准包装	1
其它名称	MRF555TMICT MRF555TMICT-ND

封装/外壳 超大功率  Microsemi Corporation 封装/外壳 超大功率  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 超大功率  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 超大功率   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Microsemi Corporation 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 超大功率  Microsemi Corporation 供应商器件封装 超大功率  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 超大功率  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 超大功率   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 3W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 3W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 3W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 3W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V   增益 11dB ~ 12.5dB  Microsemi Corporation 增益 11dB ~ 12.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 12.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 12.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -