MRF5812GR2,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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MRF5812GR2 - 

TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation MRF5812GR2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MRF5812GR2
仓库库存编号:
MRF5812GR2CT-ND
描述:
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MRF5812GR2产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  50 @ 50mA,5V  
  频率 - 跃迁  5GHz  
  功率 - 最大值  1.25W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  200mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  15V  
  增益  13dB ~ 15.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  2dB ~ 3dB @ 500MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 MRF5812GR2CT
MRF5812R2CT-ND
MRF5812R2MICT
MRF5812R2MICT-ND

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