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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 50mA，5V
频率 - 跃迁	5GHz
功率 - 最大值	1.25W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	13dB ~ 15.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	2dB ~ 3dB @ 500MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	MRF5812GR2CT MRF5812R2CT-ND MRF5812R2MICT MRF5812R2MICT-ND

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microsemi Corporation 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Microsemi Corporation 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  Microsemi Corporation 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SO  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SO   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 50mA，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 50mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 50mA，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 50mA，5V   频率 - 跃迁 5GHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz   功率 - 最大值 1.25W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 1.25W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.25W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.25W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 13dB ~ 15.5dB  Microsemi Corporation 增益 13dB ~ 15.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB ~ 15.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13dB ~ 15.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 500MHz  Microsemi Corporation 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 500MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 500MHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 500MHz