MRF5812R2,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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MRF5812R2
MRF5812R2 -
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
MRF5812R2
仓库库存编号:
MRF5812R2-ND
描述:
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MRF5812R2产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
50 @ 50mA,5V
频率 - 跃迁
5GHz
功率 - 最大值
1.25W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
18V
增益
15.5dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
2dB @ 500MHz
关键词
产品资料
数据列表
MRF5812(G)(R1,R2)
标准包装
2,500
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 表面贴装
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-SO
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SO
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晶体管类型 NPN
Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 50mA,5V
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频率 - 跃迁 5GHz
Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 5GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz
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功率 - 最大值 1.25W
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 18V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 18V
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增益 15.5dB
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15.5dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB @ 500MHz
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