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产品规格

封装/外壳	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-72
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 5mA，5V
频率 - 跃迁	4GHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	6.5dB ~ 10.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.5dB @ 450MHz
关键词

产品资料

数据列表	MRF904
标准包装	1
其它名称	MRF904MI MRF904MI-ND

封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-72  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-72  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-72  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-72   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V   频率 - 跃迁 4GHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 4GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 4GHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 4GHz   功率 - 最大值 200mW  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 6.5dB ~ 10.5dB  Microsemi Corporation 增益 6.5dB ~ 10.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 6.5dB ~ 10.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 6.5dB ~ 10.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 450MHz  Microsemi Corporation 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 450MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 450MHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB @ 450MHz