MX2N5116,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - JFET
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MX2N5116
MX2N5116 -
N CHANNEL JFET
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非库存货
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制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
MX2N5116
仓库库存编号:
MX2N5116-ND
描述:
N CHANNEL JFET
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MX2N5116产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
系列
军用,MIL-PRF-19500
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-18
FET 类型
P 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
27pF @ 15V
漏源电压(Vdss)
30V
Power - Max
500mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
25mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
4V @ 1nA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
30V
电阻 - RDS(开)
175 欧姆
关键词
产品资料
数据列表
2N5114-16, Mx2N5114-16
标准包装
100
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封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - JFET 安装类型 通孔
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C(TJ)
系列 军用,MIL-PRF-19500
Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500
晶体管 - JFET 系列 军用,MIL-PRF-19500
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 系列 军用,MIL-PRF-19500
包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - JFET 包装 散装
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零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
晶体管 - JFET 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-18
Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-18
晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-18
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FET 类型 P 沟道
Microsemi Corporation FET 类型 P 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 27pF @ 15V
Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 27pF @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 27pF @ 15V
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漏源电压(Vdss) 30V
Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 30V
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 30V
Power - Max 500mW
Microsemi Corporation Power - Max 500mW
晶体管 - JFET Power - Max 500mW
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET Power - Max 500mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 25mA @ 15V
Microsemi Corporation 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 25mA @ 15V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 25mA @ 15V
Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 25mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 4V @ 1nA
Microsemi Corporation 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 4V @ 1nA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 4V @ 1nA
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电压 - 击穿(V(BR)GSS) 30V
Microsemi Corporation 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 30V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 30V
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电阻 - RDS(开) 175 欧姆
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) 175 欧姆
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