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• 零件状态：过时；购买截止日期：12-20-2017。可能有最低购买数量。

产品规格

封装/外壳	M115
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	M115
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
频率 - 跃迁	960MHz ~ 1.215GHz
功率 - 最大值	21.9W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1A
电压 - 集射极击穿（最大值）	45V
增益	9.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	SD1526-01
标准包装	1

封装/外壳 M115  Microsemi Corporation 封装/外壳 M115  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M115  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M115   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装   工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 上次购买时间  Microsemi Corporation 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 上次购买时间  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 M115  Microsemi Corporation 供应商器件封装 M115  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M115  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M115   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   频率 - 跃迁 960MHz ~ 1.215GHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 960MHz ~ 1.215GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 960MHz ~ 1.215GHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 960MHz ~ 1.215GHz   功率 - 最大值 21.9W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 21.9W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 21.9W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 21.9W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A   电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V   增益 9.5dB  Microsemi Corporation 增益 9.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -