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产品规格

封装/外壳	-
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	18-CDIP
晶体管类型	8 NPN 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 350mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 500μA，350mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	95V
关键词

产品资料

数据列表	SG2800
标准包装	1
其它名称	1259-1086 1259-1086-MIL

封装/外壳 -  Microsemi Corporation 封装/外壳 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 -   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 18-CDIP  Microsemi Corporation 供应商器件封装 18-CDIP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 18-CDIP  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 18-CDIP   晶体管类型 8 NPN 达林顿  Microsemi Corporation 晶体管类型 8 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 -  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 95V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 95V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 95V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 95V