SMBJ5363C/TR13,Microsemi Corporation,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
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SMBJ5363C/TR13
SMBJ5363C/TR13 -
DIODE ZENER 30V 5W SMBJ
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
SMBJ5363C/TR13
仓库库存编号:
SMBJ5363C/TR13-ND
描述:
DIODE ZENER 30V 5W SMBJ
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 5W ±2% Surface Mount SMBJ (DO-214AA)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SMBJ5363C/TR13产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-214AA,SMB
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SMBJ(DO-214AA)
容差
±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 21.6V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.2V @ 1A
Power - Max
5W
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
30V
阻抗(最大值)(Zzt)
8 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
SMB(G,J)5333B-88B
标准包装
3,000
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安装类型 表面贴装
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二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -65°C ~ 150°C
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
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二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SMBJ(DO-214AA)
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容差 ±2%
Microsemi Corporation 容差 ±2%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±2%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 21.6V
Microsemi Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 21.6V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 21.6V
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 21.6V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 1A
Microsemi Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 1A
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 1A
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 1A
Power - Max 5W
Microsemi Corporation Power - Max 5W
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 5W
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 5W
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30V
Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30V
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阻抗(最大值)(Zzt) 8 Ohms
Microsemi Corporation 阻抗(最大值)(Zzt) 8 Ohms
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