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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Monolithic Power Systems Inc.
工作温度	-20°C ~ 125°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	190 欧姆 @ 10mA，10V
FET 类型	3 N 沟道，共栅
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	80mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	600V
功率 - 最大值	1.3W
关键词

产品资料

数据列表	LN60A01 Datasheet
RoHS指令信息	RoHS/Lead Free Policy
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Monolithic Power Systems Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Monolithic Power Systems Inc.  Monolithic Power Systems Inc. 制造商 Monolithic Power Systems Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Monolithic Power Systems Inc.  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Monolithic Power Systems Inc.   工作温度 -20°C ~ 125°C（TJ）  Monolithic Power Systems Inc. 工作温度 -20°C ~ 125°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -20°C ~ 125°C（TJ）  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -20°C ~ 125°C（TJ）   系列 -  Monolithic Power Systems Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Monolithic Power Systems Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Monolithic Power Systems Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Monolithic Power Systems Inc. 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Monolithic Power Systems Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 欧姆 @ 10mA，10V  Monolithic Power Systems Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 欧姆 @ 10mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 欧姆 @ 10mA，10V  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 欧姆 @ 10mA，10V   FET 类型 3 N 沟道，共栅  Monolithic Power Systems Inc. FET 类型 3 N 沟道，共栅  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 N 沟道，共栅  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 N 沟道，共栅   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80mA  Monolithic Power Systems Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80mA  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Monolithic Power Systems Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 标准  Monolithic Power Systems Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Monolithic Power Systems Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 600V  Monolithic Power Systems Inc. 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V   功率 - 最大值 1.3W  Monolithic Power Systems Inc. 功率 - 最大值 1.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.3W  Monolithic Power Systems Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.3W