2N7002BK,215,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
2N7002BK,215
2N7002BK,215 -
MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
2N7002BK,215
仓库库存编号:
1727-4789-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 370mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
2N7002BK,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
350mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
2N7002BK Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-4789-1
568-5981-1
568-5981-1-ND
2N7002BK,215相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 470NH 26A 0.9 MOHM SMD
详细描述:屏蔽 绕线 电感器 0.9 毫欧 非标准
型号:
744355047
仓库库存编号:
732-1114-1-ND
别名:732-1114-1
无铅
搜索
Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 470NH 30A 0.67 MOHM
详细描述:屏蔽 绕线 电感器 0.67 毫欧 非标准
型号:
744355147
仓库库存编号:
732-1122-1-ND
别名:732-1122-1
无铅
搜索
2N7002BK,215您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Murata Electronics North America
FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN
型号:
BLM18PG600SN1D
仓库库存编号:
490-1036-1-ND
别名:490-1036-1
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2319CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319CDS-T1-GE3CT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC VREF SHUNT 1.225V SOT23
详细描述:分流器 电压基准 IC ±0.5% 12mA SOT-23-3
型号:
LM4041QCEM3-1.2NO
仓库库存编号:
296-36894-1-ND
别名:296-36894-1
无铅
搜索
Diodes Incorporated
IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 300mA SOT-23-3
型号:
AP2210N-3.3TRG1
仓库库存编号:
AP2210N-3.3TRG1DICT-ND
别名:AP2210N-3.3TRG1DICT
无铅
搜索
2N7002BK,215相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号