2N7002BKM,315,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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2N7002BKM,315
2N7002BKM,315 -
MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
2N7002BKM,315
仓库库存编号:
1727-4785-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 360mW(Ta) DFN1006-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N7002BKM,315产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-101,SOT-883
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DFN1006-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
450mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
2N7002BKM Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-4785-1
568-5976-1
568-5976-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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别名:732-1114-1
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型号:
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制造商 Nexperia USA Inc.
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
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Nexperia USA Inc. FET 功能 -
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
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Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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