2N7002CK,215,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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2N7002CK,215
2N7002CK,215 -
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
2N7002CK,215
仓库库存编号:
1727-4790-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N7002CK,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.3nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
300mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
55pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
2N7002CK Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-4790-1
568-5982-1
568-5982-1-ND
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 470NH 26A 0.9 MOHM SMD
详细描述:屏蔽 绕线 电感器 0.9 毫欧 非标准
型号:
744355047
仓库库存编号:
732-1114-1-ND
别名:732-1114-1
无铅
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Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 470NH 30A 0.67 MOHM
详细描述:屏蔽 绕线 电感器 0.67 毫欧 非标准
型号:
744355147
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别名:732-1122-1
无铅
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
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型号:
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仓库库存编号:
1727-2764-1-ND
别名:1727-2764-1
568-1369-1
568-1369-1-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002P,215
仓库库存编号:
1727-4692-1-ND
别名:1727-4692-1
568-5818-1
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Nexperia USA Inc.
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详细描述:Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output 5-TSSOP
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别名:1727-6037-1
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别名:1727-6187-1
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
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供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.3nC @ 4.5V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.3nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.3nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 55pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 55pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 55pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 55pF @ 25V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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