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产品规格

封装/外壳	TO-253-4，TO-253AA
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-143B
晶体管类型	NPN，PNP（耦合发射器）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	75 @ 2mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	15nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	650mV @ 5mA，100mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	250mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

数据列表	BCV65
标准包装	3,000
其它名称	933831500215 BCV65 T/R BCV65 T/R-ND

封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-143B  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-143B  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-143B  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-143B   晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 75 @ 2mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 75 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 75 @ 2mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 75 @ 2mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA   频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 250mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 250mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V