BSH207,135,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BSH207,135
BSH207,135 -
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSH207,135
仓库库存编号:
568-11041-6-ND
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 12V 1.52A(Ta) 417mW(Ta) 6-TSOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSH207,135产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-74,SOT-457
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
-Reel?
零件状态
过期
供应商器件封装
6-TSOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8.8nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
120 毫欧 @ 1A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.52A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
500pF @ 9.6V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 1mA
功率耗散(最大值)
417mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
12V
关键词
产品资料
数据列表
BSH207
标准包装
1
其它名称
568-11041-6
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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封装/外壳 SC-74,SOT-457
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 1mA
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功率耗散(最大值) 417mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 417mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 417mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 12V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 12V
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