BSN20,215,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BSN20,215
BSN20,215 -
MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSN20,215
仓库库存编号:
568-1658-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 50V 173mA(Ta) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSN20,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
15 欧姆 @ 100mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
173mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
25pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
功率耗散(最大值)
830mW(Tc)
漏源电压(Vdss)
50V
关键词
产品资料
数据列表
BSN20
标准包装
1
其它名称
568-1658-1
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Linear Technology
IC OPAMP GP 1.1MHZ RRO 8SO
详细描述:通用 放大器 电路 满摆幅 8-SO
型号:
LT1637HS8#PBF
仓库库存编号:
LT1637HS8#PBF-ND
别名:LT1637HS8PBF
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 600mW(Ta) SOT-23
型号:
BSN20-7
仓库库存编号:
BSN20-7DICT-ND
别名:BSN20-7DICT
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 265mA(Ta) 310mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSN20BKR
仓库库存编号:
1727-2341-1-ND
别名:1727-2341-1
568-12638-1
568-12638-1-ND
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 TrenchMOS??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 173mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
漏源电压(Vdss) 50V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 50V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 50V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 50V
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