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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	2000 @ 500mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Power - Max	1.25W
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.3V @ 500μA，500mA
频率 - 跃迁	200MHz
关键词

产品资料

数据列表	BSP60(61,62)
标准包装	1
其它名称	1727-5429-1 568-6878-1 568-6878-1-ND

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-223  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 PNP - 达林顿  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V   Power - Max 1.25W  Nexperia USA Inc. Power - Max 1.25W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.25W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.25W   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.3V @ 500μA，500mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.3V @ 500μA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.3V @ 500μA，500mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.3V @ 500μA，500mA   频率 - 跃迁 200MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz