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BSS138AKAR
BSS138AKAR -
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSS138AKAR
仓库库存编号:
1727-1261-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 300mW(Ta),1.06W(Tc) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSS138AKAR产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.51nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
200mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
47pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250A
功率耗散(最大值)
300mW(Ta),1.06W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BSS138AKA
标准包装
1
其它名称
1727-1261-1
568-10469-1
568-10469-1-ND
BSS138AKA,215
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 47pF @ 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 47pF @ 30V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250A
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250A
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功率耗散(最大值) 300mW(Ta),1.06W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 300mW(Ta),1.06W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 60V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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