BSS138BK,215,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BSS138BK,215
BSS138BK,215 -
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSS138BK,215
仓库库存编号:
1727-1141-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSS138BK,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.7nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.6 欧姆 @ 350mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
360mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
56pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta),1.14W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BSS138BK Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-1141-1
568-10307-1
568-10307-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84
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BSS84CT-ND
别名:BSS84CT
无铅
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型号:
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别名:490-1011-1
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仓库库存编号:
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别名:296-34872-1
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 50V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 180mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS84AK,215
仓库库存编号:
1727-1144-1-ND
别名:1727-1144-1
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568-10310-1-ND
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型号:
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别名:732-4978-1
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 350mA,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 56pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 56pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 56pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 56pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250μA
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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