BSS84AKW,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BSS84AKW,115
BSS84AKW,115 -
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSS84AKW,115
仓库库存编号:
1727-6481-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSS84AKW,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
150mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
36pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)
漏源电压(Vdss)
50V
关键词
产品资料
数据列表
BSS84AKW Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-6481-1
568-8395-1
568-8395-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
BSS8402DW-7-F
仓库库存编号:
BSS8402DW-FDICT-ND
别名:BSS8402DW-FDICT
无铅
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FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN
型号:
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仓库库存编号:
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别名:587-1895-1
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详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323)
型号:
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仓库库存编号:
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别名:2N7002WT1GOSCT
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MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 260mW(Ta) SOT-323-3
型号:
2N7002PW,115
仓库库存编号:
1727-4793-1-ND
别名:1727-4793-1
568-5987-1
568-5987-1-ND
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
BSS138PW,115
仓库库存编号:
1727-1143-1-ND
别名:1727-1143-1
568-10309-1
568-10309-1-ND
无铅
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Nexperia USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 36pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
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漏源电压(Vdss) 50V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 50V
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