BUK763R6-40C,118,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK763R6-40C,118
BUK763R6-40C,118 -
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK763R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-4422-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK763R6-40C,118产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
97nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.6 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5708pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
203W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
BUK763R6-40C
标准包装
1
其它名称
1727-4422-1
568-5295-1
568-5295-1-ND
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制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 D2PAK
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 25A,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5708pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5708pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 203W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 203W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 40V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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