BUK7880-55/CUF,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK7880-55/CUF
BUK7880-55/CUF -
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7880-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2460-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 8.3W(Tc) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK7880-55/CUF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
80 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
8.3W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
BUK7880-55
标准包装
1
其它名称
1727-2460-1
568-12759-1
568-12759-1-ND
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制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 8.3W(Tc)
漏源电压(Vdss) 55V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 55V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
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