BUK7909-75AIE,127,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK7909-75AIE,127
BUK7909-75AIE,127 -
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7909-75AIE,127
仓库库存编号:
1727-7225-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK7909-75AIE,127产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-5
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
管件
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TO-220-5
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
121nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4700pF @ 25V
FET 功能
电流感测
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
272W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
数据列表
BUK7909-75AIE
标准包装
50
其它名称
1727-7225
568-9742-5
568-9742-5-ND
934057279127
BUK7909-75AIE
BUK7909-75AIE,127-ND
BUK7909-75AIE-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
IR2110PBF
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别名:*IR2110PBF
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型号:
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仓库库存编号:
IRF540PBF-ND
别名:*IRF540PBF
无铅
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Infineon Technologies
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详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4110PBF
仓库库存编号:
IRFP4110PBF-ND
别名:AUXUSFP4110
AUXUSFP4110-ND
SP001556724
无铅
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封装/外壳 TO-220-5
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-220-5
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-5
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 通孔
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功率耗散(最大值) 272W(Tc)
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 272W(Tc)
漏源电压(Vdss) 75V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 75V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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