BUK7K29-100EX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BUK7K29-100EX - 

MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56

Nexperia USA Inc. BUK7K29-100EX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BUK7K29-100EX
仓库库存编号:
1727-2463-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 29.5A 68W Surface Mount LFPAK56D
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BUK7K29-100EX产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-1205,8-LFPAK56  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  LFPAK56D  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  38.1nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  24.5 mOhm @ 10A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  29.5A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2436pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  68W  
关键词         

产品资料
数据列表 Discrete Semi Selection Guide
BUK7K29-100E
标准包装 1
其它名称 1727-2463-1
568-12848-1
568-12848-1-ND

BUK7K29-100EX您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BUK7K29-100EX相关搜索

封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 LFPAK56D  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56D  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.1nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.1nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.1nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.1nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 24.5 mOhm @ 10A,10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 24.5 mOhm @ 10A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 24.5 mOhm @ 10A,10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 24.5 mOhm @ 10A,10V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29.5A  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29.5A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29.5A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29.5A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2436pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2436pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2436pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2436pF @ 25V   FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA   漏源电压(Vdss) 100V  Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 100V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 100V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 100V   功率 - 最大值 68W  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 68W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 68W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 68W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号