BUK7K5R6-30E,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
BUK7K5R6-30E,115
BUK7K5R6-30E,115 -
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7K5R6-30E,115
仓库库存编号:
1727-7267-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BUK7K5R6-30E,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1205,8-LFPAK56
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
29.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.6 毫欧 @ 25A,10V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1969pF @ 25V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
64W
关键词
产品资料
数据列表
BUK7K5R6-30E
标准包装
1
其它名称
1727-7267-1
568-9897-1
568-9897-1-ND
BUK7K5R6-30E,115您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K5R1-30E,115
仓库库存编号:
1727-7266-1-ND
别名:1727-7266-1
568-9896-1
568-9896-1-ND
无铅
搜索
BUK7K5R6-30E,115相关搜索
封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 LFPAK56D
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29.7nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29.7nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29.7nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.6 毫欧 @ 25A,10V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.6 毫欧 @ 25A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.6 毫欧 @ 25A,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.6 毫欧 @ 25A,10V
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道(双)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1969pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1969pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1969pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1969pF @ 25V
FET 功能 标准
Nexperia USA Inc. FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 30V
功率 - 最大值 64W
Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 64W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 64W
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 64W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号