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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-1205，8-LFPAK56
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	21.8nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8.5 毫欧 @ 15A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	30A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1439pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	40V
功率 - 最大值	53W
关键词

产品资料

数据列表	Discrete Semi Selection Guide BUK7K8R7-40E
标准包装	1
其它名称	1727-1800-1 568-11414-1 568-11414-1-ND

封装/外壳 SOT-1205，8-LFPAK56  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205，8-LFPAK56  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205，8-LFPAK56  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205，8-LFPAK56   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 LFPAK56D  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56D  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.8nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.8nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.8nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.8nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.5 毫欧 @ 15A，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.5 毫欧 @ 15A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.5 毫欧 @ 15A，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8.5 毫欧 @ 15A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1439pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1439pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1439pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1439pF @ 25V   FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 40V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V   功率 - 最大值 53W  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 53W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 53W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 53W