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BUK7M33-60EX
BUK7M33-60EX -
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7M33-60EX
仓库库存编号:
1727-7314-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 24A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK7M33-60EX产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK33
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10.9nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
33 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
24A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
628pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
44W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BUK7M33-60E
标准包装
1
其它名称
1727-7314-1
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封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
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包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 LFPAK33
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK33
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK33
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.9nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.9nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.9nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 5A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 628pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 628pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 628pF @ 25V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 44W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 44W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 44W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 44W(Tc)
漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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