BUK7M67-60EX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK7M67-60EX
BUK7M67-60EX -
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7M67-60EX
仓库库存编号:
1727-2564-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 31W(Tc) LFPAK33
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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BUK7M67-60EX产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK33
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
67 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
334pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
31W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BUK7M67-60E
标准包装
1
其它名称
1727-2564-1
568-13008-1
568-13008-1-ND
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 31W(Tc)
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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