BUK7M6R3-40EX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
BUK7M6R3-40EX
BUK7M6R3-40EX -
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK7M6R3-40EX
仓库库存编号:
1727-7315-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BUK7M6R3-40EX产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1210,8-LFPAK33
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK33
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
28.1nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6.3 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
70A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1912pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
BUK7M6R3-40E
标准包装
1
其它名称
1727-7315-1
BUK7M6R3-40EX您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 200mA(DC) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SBAS16LT1G
仓库库存编号:
SBAS16LT1GOSCT-ND
别名:SBAS16LT1GOSCT
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 198W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R0-40YLDX
仓库库存编号:
1727-1856-1-ND
别名:1727-1856-1
568-11552-1
568-11552-1-ND
无铅
搜索
BUK7M6R3-40EX相关搜索
封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 LFPAK33
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK33
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK33
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK33
技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28.1nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28.1nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28.1nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28.1nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 20A,10V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 20A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 20A,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.3 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1912pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1912pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1912pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1912pF @ 25V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 79W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 79W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 79W(Tc)
漏源电压(Vdss) 40V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号