BUK9212-55B,118,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
BUK9212-55B,118
BUK9212-55B,118 -
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK9212-55B,118
仓库库存编号:
1727-5258-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BUK9212-55B,118产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 185°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
32nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
10 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3519pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
BUK9212-55B
标准包装
1
其它名称
1727-5258-1
568-6583-1
568-6583-1-ND
BUK9212-55B,118您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Bourns Inc.
FUSE RESETTABLE .10A 30V HLD SMD
详细描述:Polymeric PTC Resettable Fuse 30V Ih Surface Mount 1210 (3225 Metric), Concave
型号:
MF-USMF010-2
仓库库存编号:
MF-USMF010-2CT-ND
别名:MF-USMF010-2CT
无铅
搜索
Intersil
IC OPAMP GP 1.2MHZ RRO 8SOIC
详细描述:通用 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC
型号:
ISL28108FBZ-T7A
仓库库存编号:
ISL28108FBZ-T7ACT-ND
别名:ISL28108FBZ-T7ACT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC REG BUCK 5V 1A TO263-5
详细描述:固定 降压 开关稳压器 IC 正 5V 1 输出 1A TO-263-6,D2Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA
型号:
LM2595SX-5.0/NOPB
仓库库存编号:
LM2595SX-5.0/NOPBCT-ND
别名:LM2595SX-5.0/NOPBCT
含铅
搜索
EPCOS (TDK)
CMC 1.1MH 2A 2LN TH
详细描述:1.1mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 65 mOhm (Typ)
型号:
B82720A2202N040
仓库库存编号:
495-5716-ND
别名:495-5716
B82720A2202N 40
B82720A2202N40
B82720A2202N40-ND
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC
详细描述:标准 表面贴装 二极管 3A(DC) DO-221AC(SlimSMA)
型号:
SE30AFGHM3/6A
仓库库存编号:
SE30AFGHM3/6AGICT-ND
别名:SE30AFGHM3/6AGICT
无铅
搜索
BUK9212-55B,118相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 185°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 185°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 185°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 185°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 DPAK
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DPAK
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±15V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±15V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 25A,10V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 25A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 25A,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3519pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3519pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3519pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3519pF @ 25V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
功率耗散(最大值) 167W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 167W(Tc)
漏源电压(Vdss) 55V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 55V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号