BUK92150-55A,118,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK92150-55A,118
BUK92150-55A,118 -
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK92150-55A,118
仓库库存编号:
1727-3929-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) DPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK92150-55A,118产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
125 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
338pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
BUK92150-55A
标准包装
1
其它名称
1727-3929-1
568-4281-1
568-4281-1-ND
BUK92150-55A /T3-ND
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
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