BUK965R8-100E,118,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BUK965R8-100E,118
BUK965R8-100E,118 -
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK965R8-100E,118
仓库库存编号:
1727-7137-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK965R8-100E,118产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
133nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.8 毫欧 @ 25A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
17460pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
功率耗散(最大值)
357W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
BUK965R8-100E
标准包装
1
其它名称
1727-7137-1
568-9570-1
568-9570-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
无铅
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详细描述:电机驱动器 功率 MOSFET PWM 28-TSSOP-EP
型号:
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仓库库存编号:
620-1523-1-ND
别名:620-1523-1
无铅
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详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 800mA SOT-223
型号:
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详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
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仓库库存编号:
NTR5103NT1GOSCT-ND
别名:NTR5103NT1GOSCT
无铅
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封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
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供应商器件封装 D2PAK
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Vgs(最大值) ±10V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 133nC @ 5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
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FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 17460pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 17460pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 17460pF @ 25V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
功率耗散(最大值) 357W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 357W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 357W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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