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BUK98150-55/CUF - 

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
  • 零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
Nexperia USA Inc. BUK98150-55/CUF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BUK98150-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2223-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BUK98150-55/CUF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-261-4,TO-261AA  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  SOT-223  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  150 毫欧 @ 5A,5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5.5A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  330pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  8.3W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 1727-2223-1
568-12491-1
568-12491-1-ND

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