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BUK9E04-40A,127 - 

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

  • 零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2017。可能有最低购买数量。
Nexperia USA Inc. BUK9E04-40A,127
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BUK9E04-40A,127
仓库库存编号:
BUK9E04-40A,127-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BUK9E04-40A,127产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?  
  包装  管件   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  I2PAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±15V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  128nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4 毫欧 @ 25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.3V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  75A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  8260pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  300W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 BUK9E04-40A
标准包装 50
其它名称 934056696127

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