关于我们 | 联系我们

库存查询

• 零件状态：过时；购买截止日期：12-31-2017。可能有最低购买数量。

产品规格

封装/外壳	TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
包装	管件
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	I2PAK
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	60nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	5.4 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	75A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7565pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
功率耗散（最大值）	258W（Tc）
漏源电压（Vdss）	55V
关键词

产品资料

数据列表	BUK9E06-55B
标准包装	50
其它名称	1727-5270 568-6638 568-6638-5 568-6638-5-ND 568-6638-ND 934057313127 BUK9E06-55B BUK9E06-55B,127-ND BUK9E06-55B-ND

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 通孔  Nexperia USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?   包装 管件   Nexperia USA Inc. 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 上次购买时间  Nexperia USA Inc. 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 I2PAK  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 I2PAK  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±15V  Nexperia USA Inc. Vgs（最大值） ±15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.4 毫欧 @ 25A，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.4 毫欧 @ 25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.4 毫欧 @ 25A，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.4 毫欧 @ 25A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Nexperia USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7565pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7565pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7565pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7565pF @ 25V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA   功率耗散（最大值） 258W（Tc）  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） 258W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 258W（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 258W（Tc）   漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V