关于我们 | 联系我们

库存查询

• 如需报价、提交请求，请单击 此处。
• 非库存货

产品规格

封装/外壳	28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	28-SO
技术	MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	55V
关键词

产品资料

标准包装	1,000
其它名称	934061028518

封装/外壳 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Nexperia USA Inc. 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 28-SO  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 28-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 28-SO  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 28-SO   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） -  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V