BUK9K35-60E,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
BUK9K35-60E,115
BUK9K35-60E,115 -
MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK9K35-60E,115
仓库库存编号:
1727-7271-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 22A 38W Surface Mount LFPAK56D
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BUK9K35-60E,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1205,8-LFPAK56
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14.2nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
32 毫欧 @ 5A,10V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1081pF @ 25V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
60V
功率 - 最大值
38W
关键词
产品资料
数据列表
BUK9K35-60E
标准包装
1
其它名称
1727-7271-1
568-9901-1
568-9901-1-ND
BUK9K35-60E,115您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
TDK Corporation
CMC 8A 2LN 700 OHM SMD AEC-Q200
详细描述:2 Line Common Mode Choke Surface Mount 700 Ohm @ 100MHz 8A DCR 6 mOhm
型号:
ACM12V-701-2PL-TL00
仓库库存编号:
445-4083-1-ND
别名:445-4083-1
无铅
搜索
Sanken
IC BRIDGE DRIVER PAR 30DIP
详细描述:多相 电机驱动器 功率 MOSFET 并联 30-DIP
型号:
SI-7510
仓库库存编号:
SI-7510-ND
别名:SI-7510 DK
无铅
搜索
BUK9K35-60E,115相关搜索
封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 LFPAK56D
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.2nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.2nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.2nC @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.2nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道(双)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 25V
FET 功能 逻辑电平门
Nexperia USA Inc. FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 60V
功率 - 最大值 38W
Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 38W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 38W
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 38W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号