BUK9K52-60E,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BUK9K52-60E,115
BUK9K52-60E,115 -
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK9K52-60E,115
仓库库存编号:
1727-7273-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 16A 32W Surface Mount LFPAK56D
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK9K52-60E,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1205,8-LFPAK56
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
49 毫欧 @ 5A,10V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
725pF @ 25V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
60V
功率 - 最大值
32W
关键词
产品资料
数据列表
BUK9K52-60E Datasheet
标准包装
1
其它名称
1727-7273-1
568-9903-1
568-9903-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
IC 8CH LEVEL TRANS BIDIR 20TSSOP
详细描述:Voltage Level Translator Bidirectional Circuit 8 Channel 20-TSSOP
型号:
LSF0108PWR
仓库库存编号:
296-37828-1-ND
别名:296-37828-1
无铅
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封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
Nexperia USA Inc. 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
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包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 LFPAK56D
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 LFPAK56D
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 49 毫欧 @ 5A,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 25V
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FET 功能 逻辑电平门
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
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漏源电压(Vdss) 60V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 60V
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功率 - 最大值 32W
Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 32W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 32W
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